017N10mos,259a100v场效应管,toll封装,KCT017N10N-KIA MOS管

KCT017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，适用于电机控制和驱动、...

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www.kiaic.com/article/detail/6086.html         2025-12-08

有刷电机,无刷电机,伺服电机,步进电机,减速电机详解-KIA MOS管

无刷直流电机由电动机主体和驱动器组成，是一种典型的机电一体化产品。由于无刷直流电动机是以自控式运行的，所以不会像变频调速下重载启动的同步电机那样在转子上另加启动绕组，也不会在负载突变时产生振荡和失步。

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www.kiaic.com/article/detail/6084.html         2025-12-08

电路板原理,PCB电路板结构原理详解-KIA MOS管

PCB电路板的原理导电层设计?：通过蚀刻工艺在覆铜板上形成预设的电路图案，铜箔作为导电介质传递电信号。?绝缘基材?：通常采用FR-4玻璃纤维环氧树脂，提供机械支撑并隔离不同电路层。

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www.kiaic.com/article/detail/6083.html         2025-12-08

无刷电机,40v120a mos,3004场效应管,KNY3004B参数-KIA MOS管

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KNY3004B场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流120A，采用先进沟槽技术制造，?极低导通电阻RDS(开启) 2.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷、低交叉，开关速度快，高效低耗；CdV/dt效应下降极佳、100% ΔVds测试 、100% UIS测试，能够在额定工作条件下稳...

www.kiaic.com/article/detail/6082.html         2025-12-05

大功率LED灯驱动电路图原理详解-KIA MOS管

电源芯片在一个器件上集成了一个700V高压MOSFET 开关和一个电源控制器，与普通的PWM 控制器不同，它使用简单的开/关控制方式来稳定输出电压。控制器包括一个振荡器、使能电路、限流状态调节器、5.8V 稳压器、欠电压即过电压电路、限流选择电路、过热保护、电流...

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www.kiaic.com/article/detail/6081.html         2025-12-05

obc车载充电机原理,obc车载充电机作用-KIA MOS管

OBC的全称是On-Board Charger，即车载充电机。它固定安装在电动汽车内部，功能作用是：将来自外部（如家庭插座、公共交流充电桩）的交流电，转换成直流电，为车辆的动力电池进行充电。

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www.kiaic.com/article/detail/6080.html         2025-12-05

充电桩,80v80a mos,​3308场效应管,​KNB3308A参数-KIA MOS管

KNB3308A?场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷、低交叉，开关速度快，高效低耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性，无铅和绿色设计，符合环保要求，...

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www.kiaic.com/article/detail/6079.html         2025-12-04

车载充电机工作原理,车载充电机电路原理-KIA MOS管

车载充电机的输入端连接市电电网（单相或三相交流电），首先需通过电磁干扰滤波器（EMI Filter）抑制电网中的高频噪声，防止对车辆电子系统造成干扰。随后，输入电压经整流电路转换为脉动直流电，为后续DC-DC转换提供基础。

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www.kiaic.com/article/detail/6078.html         2025-12-04

dfn8封装尺寸图,dfn8封装详解-KIA MOS管

DFN8封装尺寸长度：约2-4mm（部分器件可达5-6mm，如VBGQA1202N的5×6mm封装）。宽度：与长度相近，约2-4mm。厚度：约0.35-0.9mm。

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www.kiaic.com/article/detail/6077.html         2025-12-04

28n50场效应管,500v28a,to-220f,KIA28N50HF参数-KIA MOS管

28n50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷、低交叉，开关速度快，高效低耗；100% 雪崩失效率、提高dv/dt能力、符合RoHS标准，稳定可靠；具有良好的开关特性，能够承受较大的耐压和电流，...

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www.kiaic.com/article/detail/6076.html         2025-12-03

芯片封装形式,芯片的八大封装分享-KIA MOS管

引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种，引脚中心距为2.54mm,引脚数从6-64；适合在PCB上穿孔焊接，操作方便，体积比较大

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www.kiaic.com/article/detail/6075.html         2025-12-03

sot-89,sot89封装尺寸图,sot封装-KIA MOS管

SOT-89封装尺寸为长度4.5毫米、宽度2.45毫米、高度1.55毫米，引脚间距为1.5毫米，支持3或5引|脚配置。部分制造商的产品可能存在细微差异，例如长度可能为4.6毫米、宽度2.6毫米或高度1.6毫米。

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www.kiaic.com/article/detail/6074.html         2025-12-03

80v130a mos,​2908场效应管参数,to263封装,KNB2908D-KIA MOS管

KNB2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，采用专有的新型技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，减少开关损耗，提高效率；具有卓越的电气参数，高雪崩电流，能够承受高功率负载，稳定可靠；无铅设...

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www.kiaic.com/article/detail/6073.html         2025-12-02

电源自动切换,12V电源自动切换电路图-KIA MOS管

输入端连接可调稳压电源，调整VR1让电路在约11.5V时完成电源切换动作。为了实现更高效的能源管理，需要采用低导通电阻的PMOS场管。

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www.kiaic.com/article/detail/6072.html         2025-12-02